238 層 4D NAND 閃存量產(chǎn),國(guó)產(chǎn)手機(jī)或率先使用,傳輸速度每秒 2.4Gb-每日視點(diǎn)


【資料圖】

6 月 8 日消息,SK 海力士 8 日宣布,已開始量產(chǎn) 238 層 4D NAND 閃存,并正在與生產(chǎn)智能手機(jī)的海外客戶公司進(jìn)行產(chǎn)品驗(yàn)證。

SK 海力士總部位于韓國(guó),這里指的“智能手機(jī)海外客戶”非常有可能是中國(guó)國(guó)產(chǎn)手機(jī)廠商,這意味著國(guó)產(chǎn)手機(jī)將率先用上 238 層 4D NAND 閃存。

238 層 NAND 閃存是目前世界上最小體積的芯片,生產(chǎn)效率比上一代的 176 層提升了 34%,數(shù)據(jù)傳輸速度為每秒 2.4Gb(千兆比特),比上一代的速度快 50%。并且也改善了約 20% 的讀寫性能。

SK 海力士稱,238 層 NAND 閃存可將為采用該產(chǎn)品的智能手機(jī)和 PC 提供更高的性能。

SK 海力士計(jì)劃在完成智能手機(jī)客戶公司的驗(yàn)證后,首先向移動(dòng)端產(chǎn)品供應(yīng) 238 層 NAND 閃存,隨后將其適用范圍擴(kuò)大到基于 PCIe 5.0 的 PC 固態(tài)硬盤(SSD)和數(shù)據(jù)中心級(jí)高容量固態(tài)硬盤產(chǎn)品等。 

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